【드래곤 스포츠】 보증업체놀이터추천홍보 : 프로그램제작판매제작의뢰 : 스포츠분석 : 무료스포츠중계tv : 섹시bj움짤 : 뉴스 : 안구정화

로그인

글쓰기

[IT뉴스][中 반도체 역습의 실체④] 中 위협 받는 삼성전자·SK하이닉스··해법은 ‘맞춤형’

온카뱅크관리자

2026-11-10 10:37:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 中 증설 효과 2029년 본격화할 듯···삼성전자·SK하이닉스 투자 셈법 복잡 낸드 점유율 일부 양보 불가피···무리한 증설보다 수익성 우선 전략 가동 “TSMC처럼 고객사와 공동 설계 역량 높여야···메모리 탈범용화가 핵심” 
 <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
 <section dmcf-sid="7EpZrbQ9dW">
 <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="595d550b246644c41c1497790d1b928989fbb1e6ec939fd68191fd41b9de2065" data-idxno="242002" data-type="photo" dmcf-pid="zDU5mKx2My" dmcf-ptype="figure">
 <img alt="삼성전자와 SK하이닉스는 일부 범용 메모리 시장에선 중국 기업들의 점유율 확대를 용인하는 선택도 불가피해 보인다. 실제 국내 메모리 업계에선 고대역폭메모리(HBM)와 고객 맞춤형 메모리 등 고부가 제품을 중심으로 경쟁력을 집중하는 흐름이 뚜렷하다. 앞으로도 생산능력과 가격으로 경쟁하는 기존 사업구조에서 벗어나 글로벌 빅테크와 공동 개발하는 기술 중심의 사업구조 전환이 빨라질 것으로 전망된다. / 사진=챗GPT 생성형 AI 이미지" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202611/10/552777-a6ToU27/20261110103350826ktfv.jpg" data-org-width="960" dmcf-mid="pjYHDq6beH" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202611/10/552777-a6ToU27/20261110103350826ktfv.jpg" width="658">
 <figcaption class="txt_caption default_figure">
 삼성전자와 SK하이닉스는 일부 범용 메모리 시장에선 중국 기업들의 점유율 확대를 용인하는 선택도 불가피해 보인다. 실제 국내 메모리 업계에선 고대역폭메모리(HBM)와 고객 맞춤형 메모리 등 고부가 제품을 중심으로 경쟁력을 집중하는 흐름이 뚜렷하다. 앞으로도 생산능력과 가격으로 경쟁하는 기존 사업구조에서 벗어나 글로벌 빅테크와 공동 개발하는 기술 중심의 사업구조 전환이 빨라질 것으로 전망된다. / 사진=챗GPT 생성형 AI 이미지
 </figcaption>
 </figure>
 [시사저널e=고명훈 기자] 중국 반도체 기업들의 추격이 거세지고 있다. 과거 범용·저가 제품을 중심으로 시장 점유율을 확대하던 중국 기업들이 최근엔 차세대 D램과 고적층 낸드플래시, 인공지능(AI) 반도체 등 첨단 영역으로 기술 개발을 확대하면서 한국 반도체 산업의 경쟁력을 위협하는 모습이다. 다만 실제 양산 기술과 수율, 글로벌 고객사 확보 측면에선 여전히 기술 격차가 존재한다는 평가도 나온다. 본지는 4회에 걸쳐 중국 반도체 산업의 기술 추격 현황과 한계를 짚어보고, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업들의 대응 전략과 향후 경쟁 구도를 심층 분석한다. [편집자 주]
 중국 반도체 기업들의 공격적인 생산능력 확대에 맞서 삼성전자와 SK하이닉스의 중장기 투자 전략에도 변화가 예상된다. 인공지능(AI) 수요 급증에 따라 당장은 치열한 증설 경쟁이 펼쳐지고 있지만, 향후 중국 기업들의 공급 물량이 본격적으로 시장에 유입되면 국내 기업들은 무리한 점유율 경쟁보단 수익성을 우선하는 전략으로 방향을 틀 수밖에 없는 상황이다.
 삼성전자와 SK하이닉스는 일부 범용 메모리 시장에선 중국 기업들의 점유율 확대를 용인하는 선택도 불가피해 보인다. 실제 국내 메모리 업계에선 고대역폭메모리(HBM)와 고객 맞춤형 메모리 등 고부가 제품을 중심으로 경쟁력을 집중하는 흐름이 뚜렷하다. 앞으로도 생산능력과 가격으로 경쟁하는 기존 사업구조에서 벗어나 글로벌 빅테크와 공동 개발하는 기술 중심의 사업구조 전환이 빨라질 것으로 전망된다.
 ◇中 증설 공세에 '셸 퍼스트'로 대응···낸드 점유율 일부 양보 불가피
 10일 반도체업계에 따르면 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)의 공격적인 생산능력 확대가 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 중장기 투자 셈법을 가르는 최대 변수로 부상하고 있다.
 현재 D램 시장은 타이트한 수급 기조 속에 삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론 등 메모리 3강 체제의 증설 경쟁이 가속화하고 있다. CXMT 역시 공격적인 설비 투자를 이어가고 있지만, 수요 증가세가 공급을 웃돌고 있어 당장 글로벌 시장에 미치는 파급력은 제한적인 수준이다.
 문제는 2029년 전후다. CXMT의 대규모 양산 물량이 시장에 본격 출하되는 시점과 글로벌 메모리 업황의 다운사이클이 겹칠 경우, 공급 과잉과 판가 하락이 동시에 맞물리는 '이중고'가 가시화할 수 있단 우려가 제기된다.
 손인준 유진투자증권 연구원은 시사저널e와의 인터뷰에서 "CXMT는 2028년까지 생산능력 기준 점유율 상승이 제한적이겠지만 2029년부터는 증설 효과가 본격화하면서 점유율이 유의미하게 확대될 가능성이 있다"며, "삼성전자와 SK하이닉스는 점유율을 빼앗기지 않기 위해 함께 증설하는 시나리오와 더불어, 과거처럼 치킨게임을 벌이지 않고 수요에 맞춰 설비투자를 탄력적으로 조절하는 방안이 모두 고려되고 있는 것으로 안다. 아직 어느 한쪽으로 결론이 난 상황은 아니다"고 말했다.
 국내 기업들은 우선 생산시설 확보에 집중하면서도, 향후 시장 상황에 따라 실제 장비 투입 규모를 조절할 수 있는 '셸 퍼스트(Shell First)' 전략을 추진 중이다. 공장 건물과 기반 시설을 먼저 구축하고 반도체 생산장비 투입 시점은 수요에 따라 결정하는 방식이다.
 삼성전자는 평택4공장(P4)의 잔여 생산공간을 활용하는 한편, 5공장(P5)과 후속 생산시설 구축을 통해 중장기 생산능력 확대에 대응한단 구상이다. SK하이닉스 역시 용인 반도체 클러스터를 중심으로 신규 생산시설을 순차적으로 확보하고 있다.
 <div contents-hash="6db888f682bc74b1f2d4681ff190a4f12b8b3ebf594a8491c95d7a8f300de11c" dmcf-pid="6YP9XJcnir" dmcf-ptype="general">
 손 연구원은 "D램은 내년에도 전년 대비 50%를 훌쩍 넘는 설비투자 증가가 예상되며, 현재 분위기로는 2030년까지 투자 확대 기조가 이어질 가능성이 높다"며, "다만 공장 인프라를 먼저 확보한 뒤 실제 장비 투자는 수요 상황에 맞춰 조절하는 방향으로 가고 있다"고 설명했다.
 </div>
 <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="2de162557c1807343adb549c689930e0eb0afcf6c6b4601ba037ca773c2f7adb" data-idxno="242001" data-type="photo" dmcf-pid="PGQ2ZikLiw" dmcf-ptype="figure">
 <img alt="손인준 유진투자증권 연구원 / 사진=고명훈 기자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202611/10/552777-a6ToU27/20261110103352129mtpa.jpg" data-org-width="960" dmcf-mid="UEMf1LDgiG" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202611/10/552777-a6ToU27/20261110103352129mtpa.jpg" width="658">
 <figcaption class="txt_caption default_figure">
 손인준 유진투자증권 연구원 / 사진=고명훈 기자
 </figcaption>
 </figure>
 낸드플래시 시장에선 이미 중국 기업들의 공격적인 증설이 국내 업계의 투자 전략을 실질적으로 흔들고 있단 분석이다. YMTC는 중국 내수 시장을 기반으로 범용 낸드 공급을 빠르게 확대하며 글로벌 시장에서 존재감을 높이는 반면, 삼성전자와 SK하이닉스는 신규 증설보단 기존 생산라인의 공정 전환과 고부가 제품 비중 확대에 무게를 두고 있다.
 이는 D램과 낸드의 수요·공급 구조 차이에서 비롯된다. D램은 HBM 생산 확대가 범용 제품의 공급 여력을 자연스럽게 제약하는 효과를 내지만, 낸드는 이처럼 대규모 웨이퍼를 흡수할 차세대 고대역폭플래시(HBF) 등 제품군의 상용화가 아직 초기 단계에 머물러 있다. AI 서버발 기업용 SSD(eSSD) 수요는 견조한 흐름을 이어가고 있지만, 스마트폰·PC 등 소비자용 낸드 시장은 상대적으로 부진한 상황이다.
 손 연구원은 "삼성전자와 SK하이닉스는 D램에서 높은 수익성을 확보하고 있어 낸드 시장에서 중국에 점유율 일부를 내주는 것에 대해서는 용인하는 분위기로 알고 있다"며, "점유율을 빼앗기지 않기 위해 내년부터 빠르게 신규 투자를 확대하는 상황은 아니다"고 말했다.
 그러면서, "YMTC가 생산량 기준으로 내년말 SK하이닉스(솔리다임 포함)를 제치고 글로벌 낸드 시장 2위 업체로 올라설 가능성도 있다"며, "다만 YMTC가 신규 생산시설 일부를 D램 생산에 배정할 것으로 예상돼 삼성전자까지 추월하는 데는 상당한 시간이 걸릴 것"이라고 내다봤다.
 업계에선 삼성전자가 향후 평택 P5 등 신규 생산시설 일부를 낸드에 배정할 것으로 보고 있다. SK하이닉스도 청주 M17를 신규 낸드 생산기지로 낙점하고 현재 후속 투자를 진행 중이다. 다만 두 회사의 낸드 증설 효과가 본격적으로 나타나기까지는 시간이 소요될 것으로 예상된다.
 손 연구원은 "YMTC의 빠른 증설과 점유율 확대에 대한 우려로 다른 낸드 업체들도 신규 투자를 적극적으로 늘리지 않고 있다"며, "중국의 생산능력 확대가 이미 글로벌 낸드 업체들의 보수적인 설비투자 계획에 영향을 주고 있는 셈"이라고 진단했다.
 ◇中 HBM 자립화에도 韓 우위 지속···'맞춤형 메모리'로 초격차 유지
 CXMT는 자국 AI 반도체 기업들과 협력해 HBM 시장 진입을 서두르고 있다. 미국의 첨단 반도체 수출 규제에 대응해 메모리와 AI 가속기를 아우르는 자립형 반도체 공급망을 구축하려는 전략이다. 업계에선 중국이 엔비디아의 최신 AI 가속기에 적용되는 최고 사양 HBM 수준까지 도달하기는 쉽지 않더라도, 자국산 AI 반도체에 최적화된 제품을 개발함으로써 독자 생태계를 형성할 가능성에 무게를 싣고 있다.
 중국의 HBM 기술이 단기간에 삼성전자와 SK하이닉스의 글로벌 시장 지배력을 위협하기는 어렵단 평가다. HBM 제조의 핵심인 실리콘관통전극(TSV) 등 첨단 공정에서 여전히 선두 기업과의 기술적 격차가 큰 데다, 중국 AI 가속기 업체들 역시 첨단 파운드리 생산능력 부족으로 공급 확대에 뚜렷한 한계를 안고 있어서다.
 <div contents-hash="2d7dbf9fa1133a55218226f43b352bdcf236b13f860f6efbceb023dc74c1db78" dmcf-pid="5zjibrTsRo" dmcf-ptype="general">
 손 연구원은 "중국 기업들도 결국 HBM 기술을 확보하는 방향으로 가겠지만 예상보다 많은 시간이 걸릴 것으로 보인다"며, "장기적으로 중국 내 독자적인 공급망이 형성되더라도 북미 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스 등 기존 글로벌 업체들의 지배력이 크게 흔들릴 가능성은 낮다"고 전망했다.
 </div>
 <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="93b319ef9f249e8aebe569a35bb8de0df263843ed0e8a89b5f815c7d7220451e" data-idxno="242003" data-type="photo" dmcf-pid="1qAnKmyOJL" dmcf-ptype="figure">
 <img alt="삼성전자의 HBM4와 HBM4E / 사진=고명훈 기자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202611/10/552777-a6ToU27/20261110103353398skha.jpg" data-org-width="960" dmcf-mid="ucko2OYCiY" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202611/10/552777-a6ToU27/20261110103353398skha.jpg" width="658">
 <figcaption class="txt_caption default_figure">
 삼성전자의 HBM4와 HBM4E / 사진=고명훈 기자
 </figcaption>
 </figure>
 중국의 장기적인 추격에 대응하기 위해선 메모리 산업의 사업구조 전환에 속도를 내야 한다는 제언이 나온다. 메모리 제품의 범용성을 낮추고 고객 맞춤형 제품 비중을 높이는 것이 주 골자다.
 삼성전자와 SK하이닉스는 장기공급계약(LTA) 비중을 늘리면서 메모리 사이클에 따른 실적 변동성을 최소화한단 구상이지만, 이러한 전략만으론 모든 시장 변수에 대응하기 어렵단 지적이다. 현재는 범용 D램 가격 상승이 국내 기업들의 실적 개선을 견인하고 있지만, 중국 기업들의 생산능력 증대에 따라 향후 공급과잉이 발생하면 수익성 악화가 재현될 가능성은 여전히 존재한다.
 손 연구원은 "삼성전자와 SK하이닉스가 중국과의 경쟁에서 우위를 유지하기 위해선 제품의 범용성을 줄이고 스페셜티를 높이는 방향으로 가는 것이 가장 중요하다"며, "북미 고객사들과 파트너십을 강화하면서 HBM과 커스텀(맞춤형) HBM, 3D 적층 D램으로 이어지는 기술 전환 과정에서 TSMC 파운드리처럼 장기적인 기술 협력 관계를 구축해야 한다"고 강조했다.
 이어 "계속 기가비트 단위로 가격이 측정되는 범용 제품의 성격을 유지한다면 중국과 미국의 반도체 패권 경쟁 속에서 한국만이 가져갈 수 있는 우위가 사라질 수 있다"며, "메모리와 로직 반도체의 융합, 고객 맞춤형 설계 등 엔지니어링 역량을 강화해 중국산 제품으로 쉽게 대체할 수 없는 경쟁력을 갖춰야 한다"고 부연했다.
 </section> 
 </div> 
 Copyright © 시사저널e 무단전재 및 재배포 금지

댓글 총 0개

이번주 포인트랭킹

매주 일요일 밤 0시에 랭킹을 초기화합니다.

14,000상품권
23,000상품권
32,000상품권

업체홍보/구인 더보기

놀이터홍보 더보기

지식/노하우 더보기

판매의뢰 더보기

포토 더보기