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[IT뉴스]中 창신메모리, D램 연구개발·검사 시설에 7조원 투자 추진

온카뱅크관리자

2026-09-29 14:17:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">새 공정 양산 발표 이어 후공정 확충<br>2분기 D램 매출 점유율 9.5%</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="UprmUVIkGb">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="a3bcc0ed70eba0742bb3f45b99533c04025d00a84fa7e1592357b4d2bc3a0bbe" dmcf-pid="uAK9cCfzXB" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="중국 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT) 로고. /로이터통신·연합뉴스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202609/29/chosun/20260929140745482vhgq.jpg" data-org-width="3000" dmcf-mid="pPXZQotWYK" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202609/29/chosun/20260929140745482vhgq.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            중국 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT) 로고. /로이터통신·연합뉴스
           </figcaption>
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          <p contents-hash="abea8abf555986585e3b2045057cb4e721e4e03b0c0fb16b5276bd5ed90b9d96" dmcf-pid="7c92kh4q5q" dmcf-ptype="general">중국 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 연구개발과 후공정 테스트 시설에 총 349억위안(약 7조700억원)을 투자한다. 기업공개(IPO)로 확보한 초과 공모 자금을 활용해 기술 개발과 검사·모듈 조립 능력을 확충하고 자체 생산 체계를 강화하겠다는 계획이다.</p>
          <p contents-hash="ec9fae8af9c4ec02bf0274230c9d16c93f06372d3ba09283423e704058be3268" dmcf-pid="zk2VEl8B5z" dmcf-ptype="general">29일 자 공시에 따르면 창신메모리는 전날 이사회에서 연구개발 사업과 후공정 테스트 기지 2단계 사업 투자안을 의결했다. 연구개발 사업에는 241억위안(약 4조8800억원), 테스트 기지에는 108억위안(약 2조1900억원)을 투입할 계획이다. 건설 기간은 각각 30개월과 37개월이다.</p>
          <p contents-hash="cc0c9939b2e905115c801a3959258136cc70d10e1f4062e3e1b76c135d8d80fc" dmcf-pid="qEVfDS6b17" dmcf-ptype="general">회사는 두 사업에 IPO 초과 공모 자금 중 180억위안(약 3조6500억원)을 사용할 예정이다. 연구개발 사업에 130억위안, 테스트 기지에 50억위안을 배정했다. 이는 전체 초과 공모 자금 약 368억위안의 절반에 가까운 규모다. 투자안은 주주총회 승인 절차를 남겨두고 있다.</p>
          <p contents-hash="65e4c46719b539c685d49af2960d6f6d6cc8c2b5f55e86c26543ffcfae2898e6" dmcf-pid="BDf4wvPKGu" dmcf-ptype="general">연구개발 사업은 중국 안후이성 허페이의 기존 12인치 메모리 웨이퍼 제조 기지 안에서 추진한다. 사업비의 92.94%를 장비 구매에 배정했다. 테스트 기지는 D램 칩 검사와 모듈 조립을 담당한다.</p>
          <p contents-hash="004e47ca292769cf7057d445b2151ca1997b550390732a2a886baaa6eb347210" dmcf-pid="bw48rTQ9GU" dmcf-ptype="general">회사는 생산 능력 확대와 제품 종류 증가에 따라 외부 후공정 업체의 검사 능력이 부족해질 수 있다고 설명했다. 자체 검사 시설을 확충해 생산 병목을 방지하고 검사 비용을 낮추겠다는 취지다. 설계·제조부터 검사까지 자체 수행하는 종합 반도체 기업(IDM) 체제를 강화하는 투자다.</p>
          <p contents-hash="878212313c9dd440be19f12277f7eff3d766d0f8bb1981aa30f684f6572f73c1" dmcf-pid="Kr86myx2Yp" dmcf-ptype="general">연구개발 지출도 늘고 있다. 지난 8월 공시한 반기 보고서에 따르면 상반기 연구개발 투자액은 자산으로 처리한 개발비를 포함해 68억5948만위안(약 1조3900억원)으로 전년 동기보다 87.4% 증가했다. 같은 기간 영업 활동 현금 흐름은 1311억5567만위안(약 26조5700억원)으로 전년 동기의 약 31배에 달했다.</p>
          <p contents-hash="a9f6027e6beb8ebc8b8966ad45bd2d0d388c1cd77c85b5fe513e3a1e255ce2d1" dmcf-pid="9m6PsWMVG0" dmcf-ptype="general">창신메모리는 지난 20일 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 5세대 D램 공정 양산을 발표했다. 회사에 따르면, 동일한 8Gb 용량으로 환산한 웨이퍼당 칩 수는 이전 4세대 공정보다 최소 50% 늘었다. 이 공정을 적용한 24Gb 저전력 D램(LPDDR5X) 제품 2종도 양산하고 있다.</p>
          <p contents-hash="a2d9aa0c795ed796d9cbe88420f12a3e91da335baec83efef85075001f979fb0" dmcf-pid="2sPQOYRfH3" dmcf-ptype="general">다만 웨이퍼당 칩 수 증가율은 불량 여부를 가리기 전 전체 칩 수를 기준으로 한다. 실제 정상 제품 생산량이나 수율이 50% 개선됐다는 의미는 아니다.</p>
          <p contents-hash="9694b5cfeea34f839675ad656ee023e9b029e656cee9d6a3b316913be89a1a2f" dmcf-pid="VtkEFbrNZF" dmcf-ptype="general">시장조사 업체 트렌드포스에 따르면, 창신메모리의 글로벌 D램 매출 점유율은 올해 1분기 7.6%에서 2분기 9.5%로 1.9%포인트 상승했다. 삼성전자 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 마이크론 23.3%에 이어 세계 4위다.</p>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 조선일보. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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