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[IT뉴스]美 어플라이드 "메모리 병목 해법은 3D 스케일링"⋯韓 협력 강화

온카뱅크관리자

2026-08-31 16:17:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 무쿤드 스리니바산 부사장 "로직·메모리·패키징 모두 3D로 진화" HBM 하이브리드 본딩 전환 강조⋯삼성·SK와 에픽서 협력 
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 [아이뉴스24 황세웅 기자] "인공지능(AI) 시대 반도체 산업이 해결해야 할 가장 큰 기술 과제는 에너지·전력 효율성을 높이는 것입니다. 이에 대한 산업의 해법은 3D 스케일링입니다."
 무쿤드 스리니바산 어플라이드 머티어리얼즈 그룹 부사장은 31일 열린 '어플라이드 머티어리얼즈 코리아 AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 대담'에서 이같이 말했다.
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 <img alt="어플라이드 머티어리얼즈가 공개한 AI 가속기 모형. [사진=황세웅 기자]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/inews24/20260831161243517vtbm.jpg" data-org-width="630" dmcf-mid="7veJxwztvz" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/inews24/20260831161243517vtbm.jpg" width="658">
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 어플라이드 머티어리얼즈가 공개한 AI 가속기 모형. [사진=황세웅 기자]
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 AI 모델이 점점 더 많은 연산을 요구하면서 소비 전력이 급증하는 만큼 연산 성능 자체뿐 아니라 데이터를 이동시키는 과정에서 쓰이는 에너지를 줄이는 것이 핵심 과제로 떠올랐다는 설명이다.
 스리니바산 부사장은 이를 해결하기 위해 로직과 메모리, 패키징 전반에서 3D 기술 도입이 확대되고 있다고 강조했다.
 로직에서는 게이트올어라운드(GAA) 등 새로운 트랜지스터 구조가 적용되고, 메모리에서는 D램을 수직으로 쌓는 고대역폭메모리(HBM)가 대표적인 3D 기술로 자리 잡고 있다.
 패키징 역시 로직과 메모리를 옆이나 위아래로 최대한 가깝게 배치하는 2.5D·3D 구조로 진화하고 있다.
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 <img alt="무쿤드 스리니바산 어플라이드 머티어리얼즈 그룹 부사장이 31일 열린 '어플라이드 머티어리얼즈 코리아 AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 대담'에서 3D 스케일링에 대해 설명하고 있다. [사진=황세웅 기자]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/inews24/20260831161244803ijzs.jpg" data-org-width="580" dmcf-mid="z4t3ZfOcS7" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/inews24/20260831161244803ijzs.jpg" width="658">
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 무쿤드 스리니바산 어플라이드 머티어리얼즈 그룹 부사장이 31일 열린 '어플라이드 머티어리얼즈 코리아 AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 대담'에서 3D 스케일링에 대해 설명하고 있다. [사진=황세웅 기자]
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 특히 HBM 스케일링을 이어가기 위해 기존 마이크로범프 방식에서 하이브리드 본딩으로의 전환이 중요해질 것으로 봤다.
 하이브리드 본딩은 범프 없이 구리를 직접 접합해 다이 간 거리를 줄이는 방식으로, 데이터 이동에 필요한 에너지를 낮추고 대역폭과 열 효율을 높일 수 있다.
 스리니바산 부사장은 "범프 본딩 이후 하이브리드 본딩이 더 큰 장점을 갖는 것은 분명하다"며 "열 효율과 입출력(I/O) 밀도를 더욱 높일 수 있다"고 말했다. 다만 상용화 시점에 대해서는 고객사에 달려 있다며 구체적인 시기를 제시하지 않았다.
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 <img alt="박광선 어플라이드 머티어리얼즈 코리아 대표가 31일 열린 '어플라이드 머티어리얼즈 코리아 AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 대담'에서 인사하고 있다. [사진=황세웅 기자]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/inews24/20260831161246133zaob.jpg" data-org-width="580" dmcf-mid="q4HSO3oMhu" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/31/inews24/20260831161246133zaob.jpg" width="658">
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 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 코리아 대표가 31일 열린 '어플라이드 머티어리얼즈 코리아 AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 대담'에서 인사하고 있다. [사진=황세웅 기자]
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 D램 역시 선단 로직에서 활용되던 기술을 적극 도입하는 방향으로 진화하고 있다. 어플라이드는 에피택시와 배선, 트랜지스터 등 선단 로직에서 활용되는 기술을 D램 주변회로에 적용해 속도와 전력 효율을 높이고 있다.
 장기적으로는 수직 트랜지스터 기반 4F² 구조와 3D D램 등 새로운 아키텍처도 거론된다.
 어플라이드는 고객사와의 공동개발도 강화하고 있다. 미국 실리콘밸리 에픽(EPIC) 센터에서는 현재 11개 고객·파트너와 협력을 진행하고 있으며 첫 연구개발(R&amp;D) 장비도 투입했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 에픽 창립 파트너로 참여하고 있다.
 AI 반도체 경쟁이 단순 미세화에서 메모리와 패키징을 포함한 시스템 단위의 전력 효율 경쟁으로 확대되면서 HBM과 3D 패키징을 둘러싼 국내 반도체 업체와 장비업체 간 협력도 더욱 강화될 전망이다.
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