【드래곤 스포츠】 보증업체놀이터추천홍보 : 프로그램제작판매제작의뢰 : 스포츠분석 : 무료스포츠중계tv : 섹시bj움짤 : 뉴스 : 안구정화

로그인

글쓰기

[IT뉴스]삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용

온카뱅크관리자

2026-08-11 14:27:28

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 싱글 패터닝으로 제조 효율 구현…2030년께부터 양산 적용할 듯 
 <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
 <section dmcf-sid="YAKrWyWIgs">
 (지디넷코리아=장경윤 기자)삼성전자가 이르면 오는 2030년께 상용화될 1나노미터(nm) 공정부터 노광 기술 혁신에 나선다. 차세대 극자외선(EUV) 기술인 '고개구율(High-NA) EUV'를 1나노에 양산 적용할 계획으로, 현재 상용화를 위한 기술 개발에 집중하고 있다.
 박창민 삼성전자 마스터는 11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 회사의 노광 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 노광은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정을 뜻한다.
 <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="2e6befed9d5b1158478f5b3595716451a6973c72d201c9c6e2904072b1eb4da0" dmcf-pid="XsPSt1tWjw" dmcf-ptype="figure">
 <img alt="ASML의 EUV 노광 장비 개념도(사진=ASML)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/11/ZDNetKorea/20260811141738511yjcz.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="1FgOHGHljh" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/11/ZDNetKorea/20260811141738511yjcz.jpg" width="658">
 <figcaption class="txt_caption default_figure">
 ASML의 EUV 노광 장비 개념도(사진=ASML)
 </figcaption>
 </figure>
 삼성전자는 8나노 이하의 첨단 파운드리 공정부터 EUV를 양산 적용해 왔다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 
 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다.
 삼성전자는 차세대 EUV 기술인 High-NA EUV 개발에도 매진하고 있다. 본격적인 양산 적용 목표는 1나노(A10; A는 0.1나노 단위인 옹스트롬) 공정으로 보고 있다.
 박 마스터는 "2나노, 1.4나노 등에서 High-NA EUV를 양산 적용하고 싶었으나 아직은 기술적 보완이 필요한 상황"이라며 "A10 이하부터 High-NA EUV가 필요할 것으로 보고, 다양한 협력사들과 공동 개발을 진행하고 있다"고 설명했다.
 이를 고려한 삼성전자의 High-NA EUV 양산 적용 시점은 오는 2030년께로 관측된다. 삼성전자는 현재 2나노 공정까지 상용화에 성공해, 오는 2029년 1.4나노(SF1.4) 공정을 양산할 계획이다. 2030년에는 1.4나노의 개선 버전인 SF1.4+과 1나노 공정 양산에 나설 것으로 알려졌다.
 <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="36b08cd6ff5eb9074b64d57bb56432782136df6ff51de0780f03d60c21f58dd2" dmcf-pid="3SdGuUu5kj" dmcf-ptype="figure">
 <img alt="박창민 삼성전자 반도체연구소 Foundry공정개발팀 마스터가 발표를 진행하고 있다(사진=지디넷코리아)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/11/ZDNetKorea/20260811141739784yaxt.jpg" data-org-width="639" dmcf-mid="BS7PgogRcc" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/11/ZDNetKorea/20260811141739784yaxt.jpg" width="658">
 <figcaption class="txt_caption default_figure">
 박창민 삼성전자 반도체연구소 Foundry공정개발팀 마스터가 발표를 진행하고 있다(사진=지디넷코리아)
 </figcaption>
 </figure>
 High-NA EUV는 렌즈의 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올린 기술이다. 개구수는 빛을 모으는 집광 능력을 뜻한다. 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상돼, 더 미세한 회로를 구현하는 데 용이하다.
 High-NA를 활용하면 기존 EUV로도 멀티 패터닝을 진행해야 했던 초미세 공정을 싱글 패터닝으로 구현할 수 있게 된다. 덕분에 비용 효율성이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. 단 한번만 패터닝을 진행하므로 회로 설계도 더 자유롭게 진행할 수 있다.
 다만 High-NA EUV는 기술적 난이도가 매우 높고, 설비 역시 매우 고가에 속한다. 마스크, 펠리클 등 관련 소재 기술도 고도화돼야 한다. 때문에 업계는 향후 공정에서 EUV 멀티 패터닝과 High-NA EUV 싱글 패터닝이 혼용될 것으로 보고 있다.
 박 마스터는 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인 스트림이 될 것"이라며 "이후의 차세대 공정은 High-NA 패터닝이 메인이 될 것이라고 생각한다"고 말했다.
 장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)
 </section> 
 </div> 
 Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.

댓글 총 0개

이번주 포인트랭킹

매주 일요일 밤 0시에 랭킹을 초기화합니다.

14,000상품권
23,000상품권
32,000상품권

업체홍보/구인 더보기

놀이터홍보 더보기

지식/노하우 더보기

판매의뢰 더보기

포토 더보기