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[IT뉴스]‘배터리 잔혹사’ 반복 우려에도…메모리, 中 맞서 초격차 굳건
온카뱅크관리자
조회:
4
2026-08-07 07:37:29
<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="QuD7fhlwJn"> <div contents-hash="23704df026f0a80bfb5d53dd3b4a2e49342191a4f77ae84e0ab260492117c399" dmcf-pid="x7wz4lSrei" dmcf-ptype="general"> 한국 배터리 산업이 중국의 가성비 전략에 밀려 전기차 배터리 시장 주도권을 내줬듯, 메모리 반도체마저 중국에 추격당할 수 있다는 위기감이 커진다. 하지만 중국 기업이 저가 범용 제품을 앞세워 판도를 바꾼 배터리와 달리, 메모리 분야는 미세공정과 장비 수급 등 극복하기 힘든 기술적 장벽이 있는 만큼 삼성전자와 SK하이닉스의 독주 체제가 굳건할 것이란 시각이 지배적이다. </div> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="ace13507fc9f29ed07ed3cbab8ea6b4ce894a7a18e53d1bfbf8f6d302f3fa15a" data-idxno="449506" data-type="photo" dmcf-pid="ykBEh86bJJ" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="중국 CATL 사옥 / CATL" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/07/552810-SDi8XcZ/20260807073004603rgek.png" data-org-width="600" dmcf-mid="8xBcIf4qig" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/07/552810-SDi8XcZ/20260807073004603rgek.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 중국 CATL 사옥 / CATL </figcaption> </figure> <p contents-hash="b24c9f23855d8dff086ccce7c04791b2ff286373cfbfbdb15b6173c468f54560" dmcf-pid="WNHRa0pXid" dmcf-ptype="general">세계 전기차 배터리 시장에서 한국 기업의 입지는 쪼그라들었다. SNE리서치에 따르면 올해 상반기 CATL과 BYD 등 중국 상위 7개 배터리사의 합산 점유율은 72.4%로 올랐다. 반면 LG에너지솔루션과 SK온의 점유율은 각각 8.6%, 3.1%로 점차 하락하고 있다. 삼성SDI는 3월 이후 점유율 10위권 밖으로 밀렸다.</p> <p contents-hash="5ae602f0099af9d913089b161e8688dcb3e2a182fc952f7d573867eb1f5a3652" dmcf-pid="YjXeNpUZJe" dmcf-ptype="general">중국 배터리 기업들은 자국 내수 시장과 보조금, 저렴한 리튬인산철(LFP) 배터리의 가격 경쟁력을 앞세워 시장을 확장했다. 전구체, 양극재, 니켈 등 원자재 공급망까지 선점해 유리한 위치에 섰다. 반면 한국 배터리 기업은 한동안 LFP 포트폴리오를 꺼내들지 않고 삼원계(NCM) 배터리에 집중하는 전략적 실책까지 저질렀다.</p> <div contents-hash="e6e231f1749f753e2a5c59e2f5b7ddc9b3bbc9f3462c57be6d52aa012d2c791f" dmcf-pid="GAZdjUu5nR" dmcf-ptype="general"> 이 같은 배터리 시장의 잔혹사가 반도체에서 재현될 것이라는 우려가 나오는 배경에는 중국 D램 기업 CXMT의 급성장이 있다. CXMT는 상하이 증시 상장 자금과 143조원 규모의 중국 정부 반도체 펀드를 등에 업고 D램 시장 점유율을 8% 수준까지 끌어올리며 세계 4위권에 진입했다. </div> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="7a31edec7bc06d72af217c4614c2c22dad0cf393bfd4a0b2bcdeb88dc3783650" data-idxno="449507" data-type="photo" dmcf-pid="Hc5JAu71JM" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="이재용 삼성전자 회장(왼쪽에서 세 번째)이 2021년 1월 평택 EUV 전용라인을 점검하는 모습 / 삼성전자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/07/552810-SDi8XcZ/20260807073005894csoe.jpg" data-org-width="600" dmcf-mid="6XRv5LoMLo" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/07/552810-SDi8XcZ/20260807073005894csoe.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 이재용 삼성전자 회장(왼쪽에서 세 번째)이 2021년 1월 평택 EUV 전용라인을 점검하는 모습 / 삼성전자 </figcaption> </figure> <p contents-hash="690b712ffcb4ddf42b0808b11a797282ea8d365e24a23308ee4b45dea0bf3923" dmcf-pid="Xk1ic7ztex" dmcf-ptype="general">다만 전문가들은 메모리 산업이 배터리와 달리 고도의 기술 집약적 분야라고 지적한다. 범용 제품을 대량 생산해 가격으로 밀어붙이는 방식으로는 메모리 분야에서 선두권을 위협하기 어렵다는 분석이다.</p> <p contents-hash="b9ee6a9d37f9b95cfbdd01dee52bf02f9906c586d8f7be25a4d413e6ee3ae24c" dmcf-pid="ZEtnkzqFRQ" dmcf-ptype="general">CXMT가 추격 중 마주칠 가장 큰 걸림돌은 미국의 대중국 수출 규제로 도입이 불가능한 극자외선(EUV) 노광장비다. EUV 장비 없이 심자외선(DUV)과 멀티패터닝 공정으로 미세화를 추진할 경우 공정이 복잡해져 수율과 생산성이 떨어진다. 동일한 양의 D램을 생산하는 데 경쟁사보다 약 30% 많은 웨이퍼가 소요돼 원가 경쟁력 확보가 어렵다. EUV 장비는 네덜란드 ASML이 독점 생산 중이다.</p> <p contents-hash="eee985310a5bf2f392b98e92631482ab192a79cb69d5e8d4ee5780491c1940f7" dmcf-pid="5DFLEqB3eP" dmcf-ptype="general">인공지능(AI) 시대의 핵심인 고대역폭메모리(HBM)에서도 기술 격차는 상당하다. 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM4(6세대) 및 HBM4E(7세대)에서 양산과 샘플 공급 단계에 들어선 반면, CXMT는 HBM3(4세대)의 연내 양산을 목표로 하고 있다. 최소 2세대 이상의 격차가 존재하는 셈이다.</p> <p contents-hash="7adeb6e3de7e477c0913fba45fcf9ff9c70fe39c977a997699adf30c6961a914" dmcf-pid="1w3oDBb0M6" dmcf-ptype="general">롤프 벌크 퓨처럼그룹 애널리스트는 미국 CNBC와의 인터뷰에서 "CXMT는 칩 성능 면에서 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 2~3세대 뒤처져 있다"며 "생산설비 확장 제약과 ASML 장비 접근 제한으로 단기간에 기존 빅3를 따라잡기는 어렵다"고 진단했다.</p> <div contents-hash="a0517a7b138aabf29867a240045cf9fd8202adf4e67c38fbdae39f3db83e1515" dmcf-pid="tr0gwbKpe8" dmcf-ptype="general"> 이어 그는 "애플 등 글로벌 빅테크가 공급망 다변화를 시도하더라도 안보 우려 등으로 인해 CXMT 제품을 실제로 채택할 가능성은 매우 낮다"고 평가했다. </div> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="b76b3b64d37cdbdb4f999c7ba9d6a8a07d7e6fcf44fe6e8a554376fd374859ad" data-idxno="449509" data-type="photo" dmcf-pid="FmparK9UR4" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 HBF의 첫 표준 규격을 OCP를 통해 공개했다고 4일 밝혔다. / SK하이닉스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/07/552810-SDi8XcZ/20260807073007188anbe.jpg" data-org-width="1280" dmcf-mid="PXLZukEoJL" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/07/552810-SDi8XcZ/20260807073007188anbe.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 HBF의 첫 표준 규격을 OCP를 통해 공개했다고 4일 밝혔다. / SK하이닉스 </figcaption> </figure> <p contents-hash="a5cb16aeb93dcd2bbf76aa3fbe9cbe727c99464937142113ed7d27555d772c18" dmcf-pid="3sUNm92uMf" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스는 기술적 한계를 극복하는 차세대 메모리 기술을 잇달아 공개하며 초격차 입지를 공고히 하고 있다.</p> <p contents-hash="3b4b66a38c927074dbe7147760daa41d99f8657cfc8a781beb44c0392e6deba3" dmcf-pid="0Oujs2V7eV" dmcf-ptype="general">삼성전자는 미국 캘리포니아주 샌타클래라컨벤션센터에서 열린 FMS 2026에서 연산칩 위에 메모리를 수직으로 적층하는 'zHBM'과 400단 이상의 10세대 V낸드를 공개하며 기술력을 과시했다. SK하이닉스는 HBM 이후 AI 시장을 겨냥한 새로운 메모리 계층 '고대역폭 플래시(HBF)'를 전면에 내세웠다. HBF는 HBM과 낸드 기반 스토리지 사이를 연결하는 차세대 메모리다.</p> <p contents-hash="278b6daa614a1909c6cecbfb8a2b8e93d6e9dc11c1f17f40b129562ace129182" dmcf-pid="pr0gwbKpJ2" dmcf-ptype="general">프랑스 시장조사업체 욜그룹도 한국이 2031년까지 '메모리 최강' 지위를 유지할 것으로 전망했다. 한국 정부가 5년 내 웨이퍼 생산량을 2배로 늘리는 정책을 추진하고, 삼성전자와 SK하이닉스의 공격적 투자가 이어지고 있다는 점이 근거다.</p> <p contents-hash="9e36573da0b1e737b593a8a9af421b7d50d011d45e48377459199e62932b3fa0" dmcf-pid="UmparK9UL9" dmcf-ptype="general">욜그룹은 CXMT의 D램 제품을 분석한 결과 업계 선두 업체들이 2019년 완성한 1z 공정(10㎚급 3세대)에 도달한 것으로 나타났다고 설명했다. 중국의 공격적인 자본 투입에도 삼성전자와 SK하이닉스가 구축한 메모리 초격차 방어선이 공고히 유지될 것으로 보이는 이유다.</p> <p contents-hash="e9edb39edc3e06c44c7800fb6a4003b379d7b0ee7a40b092e51a90912f307ec5" dmcf-pid="usUNm92ueK" dmcf-ptype="general">이광영 기자<br>gwang0e@chosunbiz.com</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © IT조선. 무단전재 및 재배포 금지.</p>
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