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[IT뉴스]‘1c D램’ 날개 단 삼성, SK하이닉스에 HBM4E 기선제압
온카뱅크관리자
조회:
18
2026-05-30 06:07:29
<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="77tesjrNex"> <div contents-hash="61b6262a5e8c33e2b5acfd169e361b22318c317200142ce1a5c12234a1a601ea" dmcf-pid="zzFdOAmjLQ" dmcf-ptype="general"> 삼성전자가 세계 최초로 7세대 고대역폭메모리인 'HBM4E 12단' 샘플 출하에 성공했다. 최근 달성한 1c(10나노급 6세대) D램의 비약적인 수율 개선 성과를 발판 삼아, 경쟁사인 SK하이닉스를 제치고 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권을 선점하겠다는 전략이다. </div> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="d47d84cb375c13ef45b266e4564efac40992aae4d5c581f828089e0ab9402fd2" data-idxno="444171" data-type="photo" dmcf-pid="qq3JIcsAnP" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습 / 삼성전자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202605/30/552810-SDi8XcZ/20260530060042879wmeo.jpg" data-org-width="1280" dmcf-mid="UgpnhEIkMR" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202605/30/552810-SDi8XcZ/20260530060042879wmeo.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습 / 삼성전자 </figcaption> </figure> <p contents-hash="281a440e265613558a167e04733d6d337025c4a59707d85dcc80fb81e9f8efee" dmcf-pid="BB0iCkOci6" dmcf-ptype="general">삼성전자는 글로벌 고객사에 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심이 될 HBM4E 12단 샘플을 공급했다고 5월 29일 밝혔다. 2월 HBM4 양산 출하에 성공한 지 수개월 만이다. 최근 HBM4에 쓰일 1c D램 수율을 80%(콜드 테스트 기준) 가까이 높이면서, 다음 세대인 HBM4E 패키징 수율도 빠르게 개선할 수 있는 안정적인 D램 제조 체력을 확보했다.</p> <p contents-hash="70c0c646e7671cd3a7ea7cba1aa47f037d4e06c2b3a1a39fbd0c843517c5aefe" dmcf-pid="bbpnhEIki8" dmcf-ptype="general">삼성전자는 당초 1c D램에서 60% 내외의 수율을 확보한 후 개선에 어려움을 겪었다. 하지만 수율 개선 전담 TF(400~500명) 인력을 실제 양산 라인에 배치한 후 '램프업(생산량 확대)'을 병행하면서 수율을 단기간에 끌어올리는 현장 밀착형 개선을 이뤄낸 것으로 보인다.</p> <p contents-hash="667f6be6c4ab2707b2e0da8bd55678fbf2d178e10014a6cc224cdb2902a8073c" dmcf-pid="KKULlDCEi4" dmcf-ptype="general">삼성전자 내부에 정통한 한 관계자는 "1c D램 공정의 경우 가능한 한 빠른 속도로 전 세대 주력 제품인 1b D램 수준(92%)까지 수율을 끌어올리는 것이 지상 과제였다"며 "최대한 수율을 확보해 경쟁사와의 기술 격차를 확고히 하려는 현장 기술진의 의지가 어느 때보다 강했다"고 전했다.</p> <div contents-hash="ff498b9b1082fab7eb8a715cfc75af492a48e91f2e53e0f5ccffdd1b3be05dc2" dmcf-pid="99uoSwhDdf" dmcf-ptype="general"> 삼성전자는 지난 수년간 D램 수율 문제로 고전하며 SK하이닉스 등 경쟁사에 HBM 시장 주도권을 내줬다. 절치부심 끝에 최첨단 1c D램에서 빠른 속도로 수율을 끌어올리며 HBM '추격자'에서 '선도자'로 올라설 발판을 마련했다. </div> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="a126f1178342bf6336025a4542677723d54f74553cee6566f9a27ef364c825c9" data-idxno="444172" data-type="photo" dmcf-pid="2e8mty5TJV" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="엔비디아 젠슨 황 CEO가 3월 열린 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있다. 왼쪽부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 젠슨 황 엔비디아 CEO, 한진만 파운드리 사업부장. / 삼성전자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202605/30/552810-SDi8XcZ/20260530060044312kbwy.jpg" data-org-width="1280" dmcf-mid="ucE3QK6beM" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202605/30/552810-SDi8XcZ/20260530060044312kbwy.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 엔비디아 젠슨 황 CEO가 3월 열린 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있다. 왼쪽부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 젠슨 황 엔비디아 CEO, 한진만 파운드리 사업부장. / 삼성전자 </figcaption> </figure> <p contents-hash="82b18af97c05ee937c85864f788e470c88b49d69731bd2075e950cce31cf9e68" dmcf-pid="Vd6sFW1yR2" dmcf-ptype="general">삼성전자가 고객사에 공급한 HBM4E 12단 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 핀당 동작 속도를 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작인 HBM4와 비교해 20% 이상 향상된 수치다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 지원한다.</p> <p contents-hash="15b1a058ab1ccc97484416bb5933409dffe6768ec522bde5b0f81f0c3740e34c" dmcf-pid="fJPO3YtWL9" dmcf-ptype="general">제품 용량은 48GB로 전작 대비 30% 이상 늘어났다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단)와 64GB(16단)까지 제품 라인업을 확대해 나갈 계획이다. 신제품에는 최선단 공정인 1c D램과 자체 파운드리의 4나노 로직 다이가 적용됐다.</p> <p contents-hash="a5903034666229861c58e63de3b9b38ea38b4856813905ff524b87e57afd63cc" dmcf-pid="4iQI0GFYRK" dmcf-ptype="general">저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16% 향상됐고, 열 저항 특성은 14% 이상 개선돼 고부하 AI 연산 환경에서의 발열 문제를 완화했다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사의 일정에 맞춰 향후 양산 공급을 진행할 예정이다.</p> <p contents-hash="d3e670131074f347dad62c3080000545f244df8adb069679998c7c2bf0a72330" dmcf-pid="8nxCpH3Gdb" dmcf-ptype="general">제품 공급에는 메모리부터 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 모두 아우르는 '원스톱 턴키 솔루션'이 활용된다. 업계에서는 샘플 공급 시점 자체가 향후 양산 공급망 진입 가능성과 직결되는 만큼 삼성전자의 강점이 부각될 것으로 보고 있다.</p> <p contents-hash="5eb3dc9a9b24127a40d0f31f963d24f54c4d81304825d8cc71372183476bf7b1" dmcf-pid="6LMhUX0HnB" dmcf-ptype="general">황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"고 말했다.</p> <p contents-hash="cb874ef3a66606a9b63325f9962dbfc3b689feb25cca9a84e645fc9f7eb77a2e" dmcf-pid="PoRluZpXMq" dmcf-ptype="general">황 부사장은 이어 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.</p> <p contents-hash="12f9eb3715c835baae0e18f5315c1b149e1de78fef353e90e8223e4e4e39079c" dmcf-pid="QgeS75UZnz" dmcf-ptype="general">삼성전자가 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4는 최대 고객사인 엔비디아의 AI 가속기 '베라 루빈'에 탑재될 예정이다. 이번에 출하한 HBM4E 역시 향후 엔비디아의 차세대 가속기 제품인 '베라 루빈 울트라'에 적용될 전망이다.</p> <p contents-hash="6ba409fa9fd1c785106d018cfc874862678285a9fa0eca8bbc4b652bb7e61611" dmcf-pid="xadvz1u5R7" dmcf-ptype="general">업계 관계자는 "HBM4E와 동일한 1c D램 및 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 HBM4가 이미 안정적으로 양산 중인 만큼, 이번에 출하된 HBM4E의 양산 전환 역시 안정적으로 진행될 가능성이 높다"고 평가했다.</p> <p contents-hash="77835df9e7de184e10ba1a45fc7222235e5f2151042ad378ea3e31b0fcedb1ee" dmcf-pid="y3HPELcnnu" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 AI 메모리 시장 1위 자리를 둘러싼 주도권 경쟁은 HBM4를 넘어 HBM4E로 이어지며 한층 치열해질 것으로 보인다. SK하이닉스는 6월 대만에서 열리는 IT 전시회 '컴퓨텍스 2026'에서 HBM4E 실물 제품을 공개할 예정이다.</p> <p contents-hash="e9edb39edc3e06c44c7800fb6a4003b379d7b0ee7a40b092e51a90912f307ec5" dmcf-pid="W0XQDokLiU" dmcf-ptype="general">이광영 기자<br>gwang0e@chosunbiz.com</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © IT조선. 무단전재 및 재배포 금지.</p>
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