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[IT뉴스]1분기 37조원 흑자 SK하이닉스…장비 발주 앞당긴 삼성전자 속도전 [위클리반도체]

온카뱅크관리자

2026-04-26 08:37:29

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> [반도체레이다] HBM4E 양산 로드맵 꺼낸 SK하이닉스…1c D램 턴키 시너지 조준하는 삼성전자 
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 디지털데일리 반도체레이다 독자 여러분 이번 주도 열심히 달린 &lt;반도체레이다&gt;가 반도체 소부장 이슈를 들려드립니다. &lt;반도체레이다&gt;에서는 금주에 놓쳐서는 안 되는 중요한 뉴스를 선정해 보다 쉽게 풀어드리고 이해할 수 있도록 돕는 코너입니다. 반도체레이다와 함께 놓친 반도체 이슈 체크해보시죠. &lt;편집자주&gt;
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 글로벌 인공지능 인프라 투자가 촉발한 고대역폭메모리(HBM) 수요 급증이 국내 반도체 기업들의 실적과 설비 투자 시계를 크게 앞당기고 있습니다. SK하이닉스가 1분기 사상 최대 실적을 달성하며 차세대 양산 로드맵을 선제적으로 발표한 가운데 삼성전자 역시 평택 캠퍼스 핵심 라인의 장비 발주를 앞당기며 코어 다이 물량 확보에 사활을 걸고 있습니다. 이번 주 위클리반도체에서는 인공지능 메모리 시장을 주도하기 위해 양산 일정을 앞당기고 기술 격차를 구체화하고 있는 국내 메모리 양강의 핵심 전략을 짚어봅니다.
 ◆ 1분기 영업이익 37조원 달성한 SK하이닉스… 2027년 HBM4E 로드맵 확정
 SK하이닉스가 인공지능 메모리 수요 호조에 힘입어 올해 1분기 매출액 52조5763억원 영업이익 37조6103억원을 기록하며 사상 최대 실적을 달성했습니다. 분기 기준 매출 50조원 돌파는 창사 이래 처음이며 72%에 달하는 영업이익률 역시 역대 최고 기록입니다. 직전 분기와 비교해 크게 급증한 이번 실적은 HBM와 고용량 서버용 D램 그리고 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 고부가가치 제품 판매가 전체 성장을 강력하게 이끈 결과입니다. 1분기 말 기준 현금성 자산은 54조3000억원으로 늘어났고 35조원의 순현금을 확보하며 든든한 재무 건전성을 갖추게 됐습니다.
 이러한 막대한 현금 창출력을 바탕으로 SK하이닉스는 차세대 기술 전환에 박차를 가하고 있습니다. 인공지능이 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 인공지능 단계로 진화하면서 메모리 수요가 폭넓게 확장되고 있기 때문입니다. 특히 인공지능 모델 고도화로 중간 데이터 처리가 급증하면서 고용량 고성능 낸드 도입이 필수가 돼가고 있습니다. 낸드플래시 부문에서는 321단 쿼드레벨셀 제품으로 마이그레이션을 가속해 국내 낸드 생산량의 50%를 전환할 계획입니다.
 초미의 관심사인 차세대 7세대 HBM4E 제품에 대해서는 2027년 양산 로드맵을 공식화했습니다. 올해 하반기 고객사에 샘플을 공급하고 수율이 성숙 단계에 도달한 1c D램 기반의 코어 다이를 결합해 기술 격차를 더욱 벌리겠다는 구상입니다. 이와 함께 세계 최초로 1c 공정을 적용한 LPDDR6와 대역폭을 크게 늘리고 에너지 효율을 75% 개선한 SOCAMM2 공급을 본격화하며 CXL 3.0을 지원하는 2세대 제품 및 고대역폭 스토리지 기술 상용화에도 전사적인 속도를 냅니다.
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 ◆ 장비 발주 앞당긴 삼성전자 평택 P4 라인… 1c D램 중심 턴키 시너지 조준
 삼성전자는 차세대 메모리 시장 주도권을 탈환하기 위해 평택 P4 공장 라인의 전공정 장비 반입 시점을 앞당기는 과감한 속도전에 돌입했습니다. 향후 HBM4에 탑재될 핵심 코어 다이인 1c D램 양산의 전진기지 역할을 맡게 될 평택 P4 공장 페이즈2(Ph2)와 페이즈4(Ph4) 라인의 장비 발주를 성공적으로 완료했습니다. 특히 Ph2 라인의 장비 발주 시점을 기존 계획과 비교해 약 2개월이나 앞당기며 선제적인 인프라 구축에 나섰습니다. 2026년 상반기부터 순차적으로 장비를 반입해 1c D램 생산 능력을 월 14만장 규모로 대폭 확대한다는 전략입니다.
 장비 반입 시점을 앞당긴 배경에는 양산 초기 수율 안정화 기간을 최대한 넉넉하게 확보하려는 치밀한 계산이 깔려 있습니다. 고품질의 코어 다이를 안정적으로 대량 생산해 글로벌 고객사들의 까다로운 품질 기준을 통과하고 폭발하는 수요를 독식하기 위해서입니다. 데이터 처리 속도와 용량이 기하급수적으로 늘어나는 차세대 규격에서는 코어 다이로 쓰이는 1c D램의 품질과 생산 규모가 전체 경쟁력을 좌우하는 가장 중요한 핵심 요소로 꼽힙니다.
 이러한 메모리 사업부의 선제적인 인프라 구축은 파운드리 사업부의 최선단 공정과 맞물려 강력한 투트랙 시너지를 창출할 것으로 기대됩니다. HBM4 하단에 깔리는 베이스 다이에 파운드리 로직 공정이 본격적으로 적용되는 만큼 맞춤형 베이스 다이 설계와 1c D램 코어 다이 대량 생산 그리고 첨단 패키징까지 모두 내부에서 일괄 해결하는 턴키 체계가 완성됩니다. 칩 설계부터 패키징까지 외부 공급망에 의존해야 하는 타 기업들과 비교해 수급 지연 위험을 획기적으로 낮추고 가격 경쟁력을 극대화할 수 있는 삼성전자만의 독보적인 무기가 2026년을 기점으로 완벽한 위력을 발휘하게 될 전망입니다.
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