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[IT뉴스]리사 수 "삼성은 훌륭한 파트너"…20년 동맹 'HBM4·2나노'로 만개

온카뱅크관리자

2026-03-18 17:07:35

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> [반도체레이다] 
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 18일 평택 MOU 체결…20년 파트너십 AI 전반으로 확대
 2014년 파운드리부터 PIM 기술까지…리사 수 역대 발언 재조명
 1c D램과 4나노 결합한 HBM4 앞세워 차세대 AI 시장 정조준
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 [디지털데일리 배태용기자] "삼성은 훌륭한 파트너다."
 삼성전자와 AMD가 18일 평택사업장에서 차세대 인공지능(AI) 메모리 및 컴퓨팅 기술 협력을 위한 업무협약을 맺으며 새로운 차원의 동맹을 예고했다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)가 직접 한국을 찾아 고대역폭메모리(HBM) 우선 탑재를 확정한 배경에는 지난 20년간 다져온 탄탄한 파트너십과 기술적 신뢰가 자리 잡고 있다. 단순한 부품 공급을 넘어 설계 단계부터 최적화를 함께 고민하는 파트너로 진화하며 AI 반도체 생태계를 견고하게 다지고 있다는 분석이 나온다.
 ◆ "유례없는 협력"부터 "훌륭한 파트너"까지…리사 수의 굳건한 신뢰
 이번 평택 회동은 하루아침에 이뤄진 결과가 아니다. 양사는 지난 2007년 삼성 GDDR4 메모리가 AMD 그래픽 카드에 업계 최초로 탑재된 이후 그래픽과 모바일 그리고 데이터센터 전반에 걸쳐 혁신을 거듭해 왔다.
 리사 수 CEO는 주요 변곡점마다 삼성전자와의 협력을 높게 평가하며 각별한 애정을 드러낸 바 있다. 지난 2014년 파운드리 협력 당시 "이번 협력은 유례없는 협력으로 차세대 제품 출시에 도움이 될 것"이라고 기대감을 표했다. 이어 2023년 국제고체회로학회(ISSCC) 기조연설에서는 "지능형 반도체(PIM) 기술을 언급하며 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있고 이 기술을 활용하면 85%이상 전력을 절감할 수 있다"고 치켜세웠다.
 특히 지난해 6월 컴퓨텍스 2024 행사에서도 "삼성을 다방면에서 훌륭한 파트너"로 지칭하며 HBM 분야 공조에 대한 강한 만족감을 나타냈다. 이러한 오랜 신뢰 관계가 이번 평택 업무협약의 강력한 밑거름이 된 셈이다.
 ◆ HBM4와 로직 다이 결합…시스템 시너지 극대화
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 최근 AI 가속기 성능이 급격히 향상되면서 그래픽처리장치(GPU)와 메모리 간의 설계 최적화가 어느 때보다 중요해졌다. 이번 업무협약을 통해 양사가 초점을 맞춘 HBM4는 이러한 시장의 요구를 완벽하게 충족하는 제품으로 꼽힌다.
 삼성전자의 HBM4는 1c D램과 4나노 선단 공정 기반의 베이스 다이를 결합한 구조를 갖추고 있다. 4나노 공정을 적용한 로직 다이는 동일한 기능을 훨씬 더 낮은 전압에서 구현할 수 있어 고속 신호 처리 과정에서 발생하는 지연과 전력 변동성을 대폭 줄여준다. 종합반도체기업(IDM)으로서 메모리 적층 기술뿐만 아니라 파운드리 공정 역량까지 모두 보유한 삼성전자가 AMD의 차세대 가속기 성능을 끌어올릴 수 있는 최적의 파트너로 낙점된 이유다.
 ◆ 2나노 GAA 선단 공정으로 미래 AI 시장 개척
 업계에서는 양사의 협력이 HBM을 넘어 파운드리 선단 공정으로 확대될 가능성에 주목하고 있다. 삼성전자의 2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정은 기존 핀펫 구조 대비 전류 제어 능력을 향상해 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 차세대 기술이다. 대규모 연산을 수행하면서도 전력 소모를 최소화해야 하는 AI 반도체 특성상 삼성의 2나노 공정은 AMD에게 매우 매력적인 대안이 될 수 있다.
 반도체 업계 한 관계자는 "18일 체결된 평택 업무협약은 20년간 이어진 양사 협력의 결정체"라며 "파운드리와 메모리 역량을 모두 갖춘 삼성전자가 AMD의 핵심 파트너로 활약하며 차세대 AI 반도체 시장에서 선제적 위치를 확고히 굳히고 있다"고 진단했다.
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