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[IT뉴스]삼성 “올해 HBM 3배 증산… 절반은 HBM4 할당 목표”

온카뱅크관리자

2026-03-17 15:47:30

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 삼성전자가 올해 인공지능(AI) 데이터센터용 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해보다 3배 이상 확대할 방침이다.
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 <img alt="삼성전자가 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다고 17일 밝혔다. 사진은 삼성전자 GTC 부스 사진.삼성전자 제공." class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202603/17/chosunbiz/20260317153858850tsor.jpg" data-org-width="1794" dmcf-mid="6r1BwcyOku" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202603/17/chosunbiz/20260317153858850tsor.jpg" width="658">
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 삼성전자가 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다고 17일 밝혔다. 사진은 삼성전자 GTC 부스 사진.삼성전자 제공.
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 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지 시각) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자회의 ‘GTC 2026’ 현장에서 기자들과 만나 “가파르게 램프업(증산)을 하고 있고 (생산에) 크게 문제는 없다”고 밝혔다.
 이어 “전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표”라며 “공급이 약간 부족한 상황이면 프리미엄 제품으로 공급을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 좋다”고 말했다.
 글로벌 메모리 공급 부족 상황과 관련해서는 전략적 공급이 불가피하다는 입장도 내놨다. 황 부사장은 전략적 파트너와 양산 공급 대상 고객을 구분해 물량을 배분할 수밖에 없다고 설명했다.
 차세대 공정 로드맵도 공개했다. 현재 양산을 시작한 6세대 HBM4와 후속 제품인 7세대 HBM4E의 베이스 다이는 동일한 4나노 공정을 적용하지만, 이후 HBM5·5E부터는 삼성 파운드리 2나노 공정을 활용할 계획이다.
 또 HBM5·5E에 적용되는 적층용 칩(코어 다이)은 10나노급 1c(6세대), 1d(7세대) 공정을 사용할 예정이라며 “원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다”고 설명했다.
 삼성전자는 핵심 고객사인 엔비디아의 AI 칩 출시 주기에 맞춰 HBM도 연간 단위로 신제품을 내놓는 전략을 추진 중이다.
 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 “삼성에 감사한다”고 언급한 추론 전용 칩 ‘그록(Groq)3’는 평택 캠퍼스에서 생산된다.
 황 부사장은 해당 칩의 양산을 올해 3분기 말에서 4분기 초 사이 시작하는 것을 목표로 하고 있으며, 이미 예상보다 많은 주문이 확보된 상태라고 밝혔다.
 또 그록이 엔비디아와 라이선스 계약을 체결하기 이전부터 삼성 파운드리 고객사였다는 점도 강조했다. 엔비디아와의 계약 이후에도 제품 만족도를 바탕으로 기존 생산 체제를 유지하기로 했다는 설명이다.
 그록3는 칩 면적이 700㎟를 넘는 대형 다이로, 웨이퍼 한 장에서 약 64개만 생산되는 구조다. 일반적으로 웨이퍼당 400~600개 칩이 생산되는 것과 비교하면 집적도가 크게 낮다.
 대신 칩 내부의 70~80%를 S램으로 구성해 외부 HBM 의존도를 낮추고, 칩 자체에서 빠른 추론이 가능하도록 설계된 것이 특징이다.
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