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[IT뉴스]HBM4 대전 포문 연 SK하이닉스…'절치부심' 삼성전자 반격채비

온카뱅크관리자

2025-09-14 06:07:32

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 양산체제 구축 SK하이닉스, 양산 경쟁력·패키징 기술 강점 삼성전자도 고객사 샘플 출하…업계 최초 초미세 공정 조합 한발 늦은 中·마이크론…韓, 글로벌 HBM4 시장 주도 기대 
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 (서울=연합뉴스) 조성흠 기자 = SK하이닉스의 HBM4 양산 체제 구축을 시작으로 글로벌 메모리 시장 양대 강자인 삼성전자와 SK하이닉스의 진짜 승부가 시작될 전망이다.
 SK하이닉스가 앞선 후공정 기술을 바탕으로 HBM4 시장에서도 1위 자리를 지키겠다는 계획이지만, 삼성전자는 차세대 공정을 먼저 적용한 제품으로 시장의 판도를 뒤흔들겠다는 전략이다.
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 <img alt="삼성전자·SK하이닉스(CG) [연합뉴스TV 제공]" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202509/14/yonhap/20250914060149978kmns.jpg" data-org-width="1200" dmcf-mid="zshZPemeGc" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202509/14/yonhap/20250914060149978kmns.jpg" width="658">
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 삼성전자·SK하이닉스(CG) [연합뉴스TV 제공]
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 SK하이닉스 HBM4, 전세대比 대역폭 2배·전력효율 40%↑
 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 밝힌 HBM4 개발에 업계 최고 수준의 자사 후공정(패키징) 기술을 적극 활용했다.
 SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM에 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용한 이래, 패키징 기술에서의 우위를 바탕으로 시장을 선도해왔다.
 이번에 양산 체제를 구축한 HBM4도 시장에서 안정성이 검증된 자체 패키징 기술인 어드밴스드 MR-MUF를 통해 효율적으로 고단 적층을 구현하는 동시에 방열 성능을 끌어올렸다.
 이렇게 개발한 SK하이닉스의 HBM4는 이전 세대 HBM3E보다 2배 늘어난 2천48개의 데이터 전송 통로(I/O)로 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올리는 등 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현했다.
 또한 이 제품은 10Gbps(초당 10기가비트)를 훌쩍 넘는 동작 속도를 구현해, 국제반도체표준협의기구 JEDEC의 HBM4 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어넘었다.
 고영민 다올투자증권 연구원은 "HBM4에서 이전 세대 대비 기술 변화는 발생하지만 공정 변화는 크지 않을 것으로 예상된다"며 "기존 후공정 경쟁력이 유효하게 작용할 수 있는 환경"이라고 말했다.
 검증된 양산 경쟁력과 엔비디아 최대 공급사로서 레퍼런스도 HBM4 시장 초기 SK하이닉스가 높은 점유율을 유지하는 발판이 될 것이라는 예상도 나온다.
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 <img alt="경기도 이천시 SK하이닉스 본사 모습 [연합뉴스 자료사진] 2025.7.24 xanadu@yna.co.kr" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202509/14/yonhap/20250914060150181mgoe.jpg" data-org-width="1200" dmcf-mid="tmmWVPkP59" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202509/14/yonhap/20250914060150181mgoe.jpg" width="658">
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 경기도 이천시 SK하이닉스 본사 모습 [연합뉴스 자료사진] 2025.7.24 xanadu@yna.co.kr
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 삼성전자 HBM4, D램·로직다이 모두 초미세 공정 적용
 HBM 시장에선 후발 주자인 삼성전자도 HBM4 12단 제품 개발을 완료하고 글로벌 주요 고객사에 샘플을 출하하며 양산 체제를 갖췄다.
 특히 이번 제품에 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다.
 D램과 하단 로직 다이 모두에 초미세 공정을 사용한 것은 현 시점 유일한 공정 조합으로, 차세대 HBM 경쟁에서 기술 리더십을 부각할 수 있을 것으로 삼성전자는 기대했다.
 1c 미세공정은 동일한 패키지 크기에서 집적도를 대폭 높이면서도 전력 소모를 줄여준다.
 4나노 파운드리 공정을 쓴 로직 다이는 인터페이스 속도나 신호 무결성, 병목 현상 해소 등에서 장점을 가져 이전 세대 대비 HBM4의 집적도와 성능, 전력 효율을 전방위적으로 높여준다.
 실제 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 JEDEC 표준인 8Gbps를 넘어 최대 11Gbps에 달하는 것으로 전해졌다.
 그동안 삼성전자를 괴롭혔던 HBM 후공정 수율도 상당히 개선됐다는 평가와 함께 품질에 대한 기대도 커지는 분위기다.
 김동원 KB증권 연구원은 "엔비디아가 HBM4 공급업체들에 더 높은 조건의 전력 소모 감소와 속도 향상을 요구하는 가운데 삼성전자가 1c D램 기반의 HBM4 생산 수율을 안정적으로 달성한다면 내년 HBM 공급량은 큰 폭의 증가세를 보일 것"이라고 전망했다.
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 <img alt="삼성전자 화성사업장 V1 라인 전경 [삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지] photo@yna.co.kr" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202509/14/yonhap/20250914060150357xrrk.jpg" data-org-width="1024" dmcf-mid="4ZHunNTNtX" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202509/14/yonhap/20250914060150357xrrk.jpg" width="658">
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 삼성전자 화성사업장 V1 라인 전경 [삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지] photo@yna.co.kr
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 中 기술 성숙도 낮고 마이크론은 HBM4 개발 난항
 한편 중국 메모리 반도체 업계는 HBM 시장 진입 추진에도 불구하고 기술적 성숙도와 고객사 확보 측면에서 뒤처져 있다는 평가가 나온다.
 미국 마이크론 역시 HBM3E 제품을 통해 시장 입지를 강화했음에도 불구하고 HBM4 개발과 양산에서 상대적으로 어려움을 겪고 있는 것으로 알려졌다.
 업계 관계자는 "SK하이닉스는 양산 안정성과 패키징 기술을 무기로 주도권 유지를 꾀하는 반면, 삼성전자는 초미세 공정 기술 기반 혁신으로 역전을 노리는 양상"이라며 "본격적으로 시작될 HBM4 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁이 한국 반도체 산업 전반에 긍정적 영향을 미칠 수 있다"고 말했다.
 josh@yna.co.kr
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