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[IT뉴스]DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 확보…10월 MPW 진행

온카뱅크관리자

2025-09-11 16:37:30

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">AI 데이터센터, 로봇 등 고효율·초소형화에 필수적</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="f0sAZdsdkZ">
          <p contents-hash="bb161447594044282dc46919cc1aded49d84a296ac62bb8a475721dc3a2ae4b6" dmcf-pid="4pOc5JOJoX" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 차세대 전력반도체인 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 마무리 짓고, 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다.</p>
          <p contents-hash="88cd2493f76a11072e05600ff636054db65a9c93a24e6dfa4a3a196bd8489ad3" dmcf-pid="8UIk1iIijH" dmcf-ptype="general">GaN 소재의 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 SiC(실리콘카바이드) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="81b5d6f106517fe7ceb74a327ad0f542a48f399b7ab954795699b0d4bffe656a" dmcf-pid="6uCEtnCnkG" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="경기 부천시에 있는 DB하이텍 본사(사진=DB하이텍)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202509/11/ZDNetKorea/20250911162814590ritw.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="VRtWVstsA5" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202509/11/ZDNetKorea/20250911162814590ritw.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            경기 부천시에 있는 DB하이텍 본사(사진=DB하이텍)
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="810011bbc0dd6f3dd6db0c300fd19ea2e8d69fa903399979407bb6950157a2b1" dmcf-pid="P7hDFLhLcY" dmcf-ptype="general">특히 전기차, AI(인공지능) 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등의 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 2025년 5억3천만 달러에서 2029년 20억1천300만 달러로 연평균 약 40%로 급속 성장할 전망이다.</p>
          <p contents-hash="cf933bdc85fe54d12f419957508cbd95862d78bc5bbc55f869b57cc73c66e74c" dmcf-pid="Qzlw3oloaW" dmcf-ptype="general">이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 그 가운데서도 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다.</p>
          <p contents-hash="70c2a19ece6c86e426a2b120504cc6d928421258f2508be510fe48137c89f687" dmcf-pid="xqSr0gSgAy" dmcf-ptype="general">DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다. </p>
          <p contents-hash="50c96c76be52a4a9b57f4b33d4d4060a47d99bf7ffff95909682ddeba11752d9" dmcf-pid="yD6bNF6FcT" dmcf-ptype="general">DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다.</p>
          <p contents-hash="a58896448e7f878ac93dea5cb9002065baa4e2ba3c8d61127c86cdc6839ddd0e" dmcf-pid="WwPKj3P3jv" dmcf-ptype="general">DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후에는 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려해 더 넓은 전압대까지 공정을 확장하며 사업 기반을 견고히 할 계획이다.</p>
          <p contents-hash="be3d36b0e3a619b13587b51876ff3e51bade3dba634b4b2203bd4ef985580ae9" dmcf-pid="YrQ9A0Q0oS" dmcf-ptype="general">이에 발맞춰 DB하이텍은 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장 또한 추진 중이다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 5천 장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다. 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4천 장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다.</p>
          <p contents-hash="11314af761257e48d548ae94ae40fe5a1a7d945ad95b58ca7be43f1947651846" dmcf-pid="Gmx2cpxpal" dmcf-ptype="general">한편, DB하이텍은 현재 개발 중인 SiC 기술력 홍보와 강화를 위해 다음 주인 9월 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 개최되는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가한다. DB하이텍은 이 자리에서 SiC를 포함한 GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술 개발 현황을 선보이고, 고객 및 업계 관계자와 만날 예정이다.</p>
          <p contents-hash="fd0be6fdb4a3798e76ae536c7bc54658e68ee8e92d20da6ddbae86b2ef051c1a" dmcf-pid="HsMVkUMUkh" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p>
         </section> 
        </div> 
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