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[IT뉴스]차세대 D램 패권 두고 엇갈린 전략… 삼성전자는 속도전, SK하이닉스는 신중

온카뱅크관리자

2025-08-11 06:07:29

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> SK하이닉스에 ‘D램 1위’ 내준 삼성전자 10나노급 6세대 D램 양산 ‘속도전’ SK하이닉스, 고객사와 내년 물량 협상 우선 수익성 확보 후 시설 투자 본격화할 듯 
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 <img alt="그래픽=손민균" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202508/11/chosunbiz/20250811060231490lqlh.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="KHCGkL7vcq" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202508/11/chosunbiz/20250811060231490lqlh.jpg" width="658">
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 그래픽=손민균
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 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 메모리 반도체 패권의 격전지로 떠오른 10㎚급 6세대(1c, 11~12㎚급) D램 사업을 두고 엇갈린 전략을 구사하고 있다. 삼성전자는 지난 세대에서의 부진을 만회하기 위해 발 빠르게 시설 투자에 착수했다. SK하이닉스는 엔비디아 등 대형 고객사와 협의 중인 내년 공급 물량이 확정돼, 수익성이 확보되면 투자를 본격화하겠다는 방침이다.
 삼성전자의 1c D램 양산이 SK하이닉스에 비해 3~4개월 이상 빠를 것으로 예상되는 가운데, 해당 공정을 바탕으로 제조한 D램을 적층해 만드는 6세대 고댁역폭메모리(HBM4)를 엔비디아에 성공적으로 공급할 경우 약 30년만에 1위 자리를 내준 D램 사업에서 역전의 발판을 마련할 것으로 보인다.
 ◇ 삼성전자, 차세대 D램 장비 대량 발주… SK하이닉스는 ‘신중’
 D램은 세대를 거듭할수록 미세 공정이 적용돼 회로 선폭이 좁아진다. 메모리 반도체 기업은 이를 통해 반도체의 크기를 줄이고 집적도를 높여 성능과 전력 효율 등을 향상시킨다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 현재 10㎚급 4세대(1a, 14㎚급)·10㎚급 5세대(1b, 11~12㎚급) D램을 주력 제품으로 경쟁하고 있고 있다. 내년부터 1c D램 경쟁이 본격화될 전망이다.
 11일 업계에 따르면, 삼성전자는 지난 1분기부터 1c D램 제조를 위한 장비를 순차적으로 발주하기 시작했다. 상반기부터 D램 제조 장비를 구입하기 시작해 연내 생산 라인을 구축하고 본격 양산에 돌입할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 이르면 3분기 장비 발주를 시작해 내년 본격적으로 1c D램을 양산할 예정이다.
 삼성전자는 1a, 1b 등 이전 세대에서 저지른 실책을 만회하기 위해 SK하이닉스보다 먼저 1c D램 양산에 총력을 기울여 왔다. 삼성전자는 이미 양산 중인 D램의 재설계를 단행할 만큼 최근 수년간 D램 품질 문제에 골머리를 앓아왔다. 이는 해당 D램을 적층해 제조되는 HBM의 품질 문제로 이어졌고, HBM 시장에서도 고전하며 약 30년간 1위 자리를 지켜왔던 D램 시장에서 SK하이닉스에 패권을 내줬다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 SK하이닉스의 D램 점유율이 올해 1분기에 36.9%를 기록하며 1위를 차지했다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 38.6%로 2위로 내려앉았다.
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 <img alt="세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 SK하이닉스의 16Gb DDR5 D램./SK하이닉스 제공" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202508/11/chosunbiz/20250811060232864ybsx.jpg" data-org-width="2000" dmcf-mid="9WMg2uOJjz" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202508/11/chosunbiz/20250811060232864ybsx.jpg" width="658">
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 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 SK하이닉스의 16Gb DDR5 D램./SK하이닉스 제공
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 삼성전자는 1c 공정을 활용한 D램을 HBM4에 적용할 계획이다. SK하이닉스는 같은 세대 HBM에 이전 세대인 1b D램을 활용한다. 삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스에 크게 밀리면서 경쟁사와 비교해 성능 우위를 점하기 위해 한 세대 앞선 D램을 적용하는 승부수를 띄웠다. 삼성전자는 지난 2분기 HBM 시장 최대 고객사인 엔비디아에 HBM4 샘플을 전달해, 품질 테스트 중이다. SK하이닉스는 1분기 엔비디아에 HBM4 샘플을 전달했고, 엔비디아와 내년도 공급 물량을 협상하고 있다.
 SK하이닉스의 경우 올해 하반기에나 1c D램 장비를 대량 발주할 계획이다. SK하이닉스는 주력 고객사와의 협상 상황 등을 지켜보면서 신중하게 시설 투자를 단행하겠다는 전략이다. SK하이닉스의 1c D램은 곧바로 양산해도 될 만큼 기술이 안정된 것으로 알려졌다. 하지만 엔비디아 등에 1b D램 기반의 5세대 HBM(HBM3E) 등을 대대적으로 납품하고 있는 만큼 현재 생산 중 있는 물량에 집중하고, 내년 공급 물량 협상을 3분기 중 마무리해 수익성을 확보한 뒤 투자를 하겠다는 것이다.
 ◇ 삼성전자, 1c D램·HBM4 양산 총력… “SK하이닉스 입지 위축될 수도” 
 삼성전자가 1c D램에 선제적으로 투자에 나선 만큼 삼성전자의 1c D램과 이를 바탕으로 제조하는 HBM4 기술력이 안정화되면 SK하이닉스의 시장 지위가 위태로울 수 있다는 지적이 나온다. 물량 공세와 생산성 경쟁에 돌입할 경우 생산 능력 및 투입 인력 등 ‘체급’ 자체가 한 수 위인 삼성전자의 경쟁력이 도드라질 것이며, 동시에 SK하이닉스의 입지가 위축될 수 있기 때문이다.
 유회준 카이스트 전기전자공학부 교수는 “삼성전자는 한 세대 앞서 D램을 개발하고 이를 빠르게 양산해 시장을 선점하는 전략으로 1위 자리를 지켜왔다. 삼성전자의 생산 능력이나, 인력 규모는 경쟁사를 압도하기 때문”이라며 “재설계를 거치며 D램의 품질이 확보됐다는 판단에 선제적인 투자에 나선 것으로 보이며, 안정적으로 양산돼 시장에 공급될 경우 경쟁력에서 우위를 점할 수 있을 것”이라고 설명했다.
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